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          1. 我科學傢創韓國 av第3類存儲技術 寫入速度比U盤快1萬倍

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              新華社上海4淘寶網月10日電(記者吳振東)近日  ,復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊實現瞭具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件 ,開創瞭第三類存儲技術  ,寫菠蘿視頻app下載污入速度比目前U盤快一萬倍  ,數據存儲時間也可自行決定  。這解決瞭國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題  。

              北京時間4月10日  ,相關成果在線發表於《自然·納米技術》雜志 。

              據瞭解  ,目前半導體電荷存儲技術主要有兩類  ,第一類是易失性存儲 ,例如計算機中的內存 ,掉電後數據會立即消失;第二類是非易失性存儲  ,例如人們常用的U盤 ,在寫入數據後無需額外能量可保存10年  。前者可在幾納秒左右寫入數據 ,第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來  。

              此次研發的新型電荷存儲技術  ,既滿足瞭10納秒寫入數據速度 ,又實現瞭按需定制(10秒-10年)的可調控數據準非易失特性  。這種全新特性不僅在高速內存中可以極大降低存儲功耗  ,同時能實現數據有效期截止後自然消失  ,在特殊猿輔導應用場景解決瞭保密性和傳輸的矛盾  。

              這項研究創新性地選擇多重二維材料堆疊構成瞭半浮柵結構晶體管:二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿分別用於開關電荷輸運和儲存  ,氮化硼作為隧穿層  ,制成階梯能谷結構的范德瓦爾斯異質結  。

              “選擇這幾種二維材料超級碗新聞  ,將充分發揮二維材料的豐富能帶特性  。一部分如同軍人肉糙漢文一道沈陽取消落戶限制可隨手開關的門 ,電子易進難出;另一部分像一面密不透風的墻  ,電子難以進出  。對‘寫入速度’與‘非易失性’的調控  ,就在於這兩部分的比例  。”周鵬說  。

              寫入速度比目前U盤快一萬倍  ,數據刷新時間是內存技術的156倍  ,並且擁有卓越的調控性  ,可以實現按照數據有效時間需求設計存儲器結構……經過測試  ,研究人員發現這種基於全二維材料的新型異質結能夠實現全新的第三類存儲特性  。

              科研人員稱  ,基於二維半導體的準非易失性存儲器可在大尺度合成技術基礎上實現高密度集成  ,將在極低功耗高速存儲、數據有效期自由度利用等多領域發揮重要作用 。

              這項科學突破由復旦大學科研團隊獨立未央是什麼意思京都一大學暴發疫情完成 ,復旦大學專用集成電路與系統國傢重點實驗室為唯一單位  。該項工作得到國傢自然科學基金優秀青年項目和重點研究項目的支持  。